货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥23.811675 | ¥23.81 |
10 | ¥21.394032 | ¥213.94 |
100 | ¥17.197524 | ¥1719.75 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 80A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 8 毫欧 @ 40A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 61 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4369 pF @ 50 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 120W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | DPAK |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装: | 2,500 |
STD105N10F7AG
型号:STD105N10F7AG
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
库存:0
单价:
1+: | ¥23.811675 |
10+: | ¥21.394032 |
100+: | ¥17.197524 |
500+: | ¥14.129568 |
1000+: | ¥12.845048 |
2500+: | ¥12.845014 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥23.81