IXFH12N90P

制造商编号:
IXFH12N90P
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
规格说明书:
IXFH12N90P说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 95.004908 95.00
10 85.784173 857.84
100 71.024033 7102.40

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: HiPerFET™, Polar
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 900 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3080 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 380W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AD(IXFH)
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

客服

购物车

IXFH12N90P

型号:IXFH12N90P

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD

库存:0

单价:

1+: ¥95.004908
10+: ¥85.784173
100+: ¥71.024033
500+: ¥61.847089
1000+: ¥54.410968

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥95.00