库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 10000 | ￥2.895301 | ￥28953.01 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.7A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 40 毫欧 @ 4.2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 15nC @ 8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 713pF @ 10V |
| 功率 - 最大值: | 1.4W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装: | U-DFN2020-6（B 类） |
| 标准包装: | 10,000 |
DMN2041UFDB-13
型号：DMN2041UFDB-13
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN
库存：0
单价：
| 10000+： | ￥2.895301 |
货期：1-2天
+ -
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