STP60NE06L-16

制造商编号:
STP60NE06L-16
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
规格说明书:
STP60NE06L-16说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: STripFET™
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 70 nC @ 5 V
Vgs(最大值): ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4150 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 150W(Tc)
工作温度: 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 1,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRF3007PBF Rochester Electronics, LLC ¥9.44443 类似
IXTP70N075T2 IXYS ¥20.81000 类似
FDP16AN08A0 Rochester Electronics, LLC ¥5.61071 类似
IRFZ44ZPBF Infineon Technologies ¥8.99000 类似
FQP65N06 WEC ¥18.74000 类似

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STP60NE06L-16

型号:STP60NE06L-16

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

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