IXT-1-1N100S1-TR

制造商编号:
IXT-1-1N100S1-TR
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
规格说明书:
IXT-1-1N100S1-TR说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -
安装类型: -
供应商器件封装: -
封装/外壳: -
标准包装: 2,500

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IXT-1-1N100S1-TR

型号:IXT-1-1N100S1-TR

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

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