- 制造商编号：
- SP8M10FRATB
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 描述：
- 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (AEC-Q10
- 规格说明书：
- SP8M10FRATB说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥14.795948 | ￥14.80 |
| 10 | ￥13.234292 | ￥132.34 |
| 100 | ￥10.315263 | ￥1031.53 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7A（Ta），4.5A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 25mOhm @ 7A，10V，56mOhm @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 8.4nC @ 5V，8.5nC @ 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 600pF @ 10V，850pF @ 10V |
| 功率 - 最大值: | 2W（Ta） |
| 工作温度: | 150°C |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SOP |
| 标准包装: | 2,500 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| DMC3028LSDXQ-13 | Diodes Incorporated | ¥6.30000 | 类似 |
SP8M10FRATB
型号：SP8M10FRATB
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (AEC-Q10
库存：0
单价：
| 1+： | ￥14.795948 |
| 10+： | ￥13.234292 |
| 100+： | ￥10.315263 |
| 500+： | ￥8.521496 |
| 1000+： | ￥6.727432 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥14.80