IDDD12G65C6XTMA1

制造商编号:
IDDD12G65C6XTMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
SIC DIODES
规格说明书:
IDDD12G65C6XTMA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 58.052338 58.05
10 52.116552 521.17
100 42.702972 4270.30

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: CoolSiC™+
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V
电流 - 平均整流 (Io): 34A(DC)
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 40 µA @ 420 V
不同 Vr、F 时电容: 594pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 10-PowerSOP 模块
供应商器件封装: PG-HDSOP-10-1
工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C
标准包装: 1,700

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IDDD12G65C6XTMA1

型号:IDDD12G65C6XTMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:SIC DIODES

库存:0

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1+: ¥58.052338
10+: ¥52.116552
100+: ¥42.702972
500+: ¥38.085343
1700+: ¥38.085343

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