货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥58.052338 | ¥58.05 |
10 | ¥52.116552 | ¥521.17 |
100 | ¥42.702972 | ¥4270.30 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | CoolSiC™+ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
二极管类型: | 碳化硅肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): | 650 V |
电流 - 平均整流 (Io): | 34A(DC) |
速度: | 无恢复时间 > 500mA(Io) |
反向恢复时间 (trr): | 0 ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 40 µA @ 420 V |
不同 Vr、F 时电容: | 594pF @ 1V,1MHz |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 10-PowerSOP 模块 |
供应商器件封装: | PG-HDSOP-10-1 |
工作温度 - 结: | -55°C ~ 175°C |
标准包装: | 1,700 |
IDDD12G65C6XTMA1
型号:IDDD12G65C6XTMA1
品牌:Infineon英飞凌
描述:SIC DIODES
库存:0
单价:
1+: | ¥58.052338 |
10+: | ¥52.116552 |
100+: | ¥42.702972 |
500+: | ¥38.085343 |
1700+: | ¥38.085343 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥58.05