- 制造商编号：
- SCT3030ALGC11
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 描述：
- SICFET N-CH 650V 70A TO247N
- 规格说明书：
- SCT3030ALGC11说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥259.438872 | ￥259.44 |
| 10 | ￥239.305192 | ￥2393.05 |
| 100 | ￥204.354178 | ￥20435.42 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 70A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 18V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 39 毫欧 @ 27A，18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5.6V @ 13.3mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 104 nC @ 18 V |
| Vgs（最大值）: | +22V，-4V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1526 pF @ 500 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 262W（Tc） |
| 工作温度: | 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-247N |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 标准包装: | 450 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| MSC015SMA070B | Microchip Technology | ¥250.51000 | 类似 |
| FCH043N60 | onsemi | ¥131.71000 | 类似 |
SCT3030ALGC11
型号：SCT3030ALGC11
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：SICFET N-CH 650V 70A TO247N
库存：0
单价：
| 1+： | ￥259.438872 |
| 10+： | ￥239.305192 |
| 100+： | ￥204.354178 |
| 500+： | ￥185.532115 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥259.44