货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥7.260908 | ¥7.26 |
10 | ¥6.372957 | ¥63.73 |
100 | ¥4.88544 | ¥488.54 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
晶体管类型: | NPN - 达林顿 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 2 A |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 100 V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): | 3V @ 40mA,4A |
电流 - 集电极截止(最大值): | 20µA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 1000 @ 2A,3V |
功率 - 最大值: | 20 W |
频率 - 跃迁: | 25MHz |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
供应商器件封装: | DPAK |
标准包装: | 2,500 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
2SD1980TL | Rohm Semiconductor | ¥7.45000 | 类似 |
MJD112T4
型号:MJD112T4
品牌:ST意法半导体
描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
库存:0
单价:
1+: | ¥7.260908 |
10+: | ¥6.372957 |
100+: | ¥4.88544 |
500+: | ¥3.86196 |
1000+: | ¥3.187938 |
2500+: | ¥3.187892 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥7.26