MJD112T4

制造商编号:
MJD112T4
制造商:
ST意法半导体
描述:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
规格说明书:
MJD112T4说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 7.260908 7.26
10 6.372957 63.73
100 4.88544 488.54

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 3V @ 40mA,4A
电流 - 集电极截止(最大值): 20µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 @ 2A,3V
功率 - 最大值: 20 W
频率 - 跃迁: 25MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: DPAK
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
2SD1980TL Rohm Semiconductor ¥7.45000 类似

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MJD112T4

型号:MJD112T4

品牌:ST意法半导体

描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

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1+: ¥7.260908
10+: ¥6.372957
100+: ¥4.88544
500+: ¥3.86196
1000+: ¥3.187938
2500+: ¥3.187892

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