BZT52B3V9-G RHG

制造商编号:
BZT52B3V9-G RHG
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE ZENER 3.9V 410MW SOD123
规格说明书:
BZT52B3V9-G RHG说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
6000 0.470573 2823.44

规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 3.9 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 90 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
标准包装: 3,000

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BZT52B3V9-G RHG

型号:BZT52B3V9-G RHG

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE ZENER 3.9V 410MW SOD123

库存:0

单价:

6000+: ¥0.470573

货期:1-2天

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