库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 5000 | ￥4.339788 | ￥21698.94 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | U-MOSVIII-H |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 66A（Ta），45A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 6.3 毫欧 @ 22.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 500µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 55 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4300 pF @ 50 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.5W（Ta），54W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-SOP Advance（5x5） |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 标准包装: | 5,000 |
TPH6R30ANL,L1Q
型号：TPH6R30ANL,L1Q
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP
库存：0
单价：
| 5000+： | ￥4.339788 |
货期：1-2天
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