库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥38.082723 | ￥38.08 |
| 10 | ￥34.226576 | ￥342.27 |
| 100 | ￥28.045229 | ￥2804.52 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 停产 |
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 80 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 160 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.3V @ 15V，40A |
| 功率 - 最大值: | 283 W |
| 开关能量: | 411µJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 226 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | -/208ns |
| 测试条件: | 400V，40A，10 欧姆，15V |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商器件封装: | TO-3P |
| 标准包装: | 30 |
STGWT40V60DLF
型号：STGWT40V60DLF
品牌：ST意法半导体
描述：IGBT 600V 80A 283W TO3P-3
库存：0
单价：
| 1+： | ￥38.082723 |
| 10+： | ￥34.226576 |
| 100+： | ￥28.045229 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥38.08