库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.220395 | ￥10.22 |
| 10 | ￥9.014338 | ￥90.14 |
| 100 | ￥6.914433 | ￥691.44 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | HEXFET® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 17.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 5.6 毫欧 @ 17.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 36 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2910 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.5W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-SO |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装: | 4,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RS3E095BNGZETB | Rohm Semiconductor | ¥6.99000 | 类似 |
| DMG4710SSS-13 | Diodes Incorporated | ¥7.60000 | 类似 |
| AO4430 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥7.83000 | 类似 |
IRF8113TRPBF
型号：IRF8113TRPBF
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
库存：0
单价：
| 1+： | ￥10.220395 |
| 10+： | ￥9.014338 |
| 100+： | ￥6.914433 |
| 500+： | ￥5.465797 |
| 1000+： | ￥4.554839 |
| 4000+： | ￥4.554839 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.22