- 制造商编号：
- RV4E031RPHZGTCR1
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 描述：
- MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W
- 规格说明书：
- RV4E031RPHZGTCR1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.161736 | ￥7.16 |
| 10 | ￥6.339877 | ￥63.40 |
| 100 | ￥4.863267 | ￥486.33 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101 |
| 封装/外壳: | 6-PowerWFDFN |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.1A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 105 毫欧 @ 3.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 4.8 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 460 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.5W（Ta） |
| 安装类型: | 表面贴装，可润湿侧翼 |
| 供应商器件封装: | DFN1616-6W |
| 标准包装: | 3,000 |
RV4E031RPHZGTCR1
型号：RV4E031RPHZGTCR1
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W
库存：0
单价：
| 1+： | ￥7.161736 |
| 10+： | ￥6.339877 |
| 100+： | ￥4.863267 |
| 500+： | ￥3.84441 |
| 1000+： | ￥3.075518 |
| 3000+： | ￥2.787209 |
| 6000+： | ￥2.621183 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.16