库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥39.439284 | ￥39.44 |
| 10 | ￥35.454325 | ￥354.54 |
| 100 | ￥29.04482 | ￥2904.48 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 80V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 66A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 4.7 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 73nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 5330pF @ 40V |
| 功率 - 最大值: | 39W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装: | 8-Power 5x6 |
| 标准包装: | 3,000 |
FDMD8680
型号：FDMD8680
品牌：ON安森美
描述：MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥39.439284 |
| 10+： | ￥35.454325 |
| 100+： | ￥29.04482 |
| 500+： | ￥24.725571 |
| 1000+： | ￥23.696445 |
| 3000+： | ￥23.696383 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥39.44