IRF5802TR

制造商编号:
IRF5802TR
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
规格说明书:
IRF5802TR说明书

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货期: 8周-10周

封装: 剪切带(CT)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 900mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.2 欧姆 @ 540mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.8 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 88 pF @ 25 V
FET 功能: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: Micro6™(TSOP-6)
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRF5802TRPBF Infineon Technologies ¥5.30000 直接

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IRF5802TR

型号:IRF5802TR

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP

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