库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.960994 | ￥4.96 |
| 10 | ￥4.04837 | ￥40.48 |
| 100 | ￥2.759507 | ￥275.95 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 8V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.3A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 175 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | - |
| 功率 - 最大值: | 400mW |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 标准包装: | 3,000 |
NTJD1155LT1G
型号：NTJD1155LT1G
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363
库存：0
单价：
| 1+： | ￥4.960994 |
| 10+： | ￥4.04837 |
| 100+： | ￥2.759507 |
| 500+： | ￥2.069543 |
| 1000+： | ￥1.552207 |
| 3000+： | ￥1.422823 |
| 6000+： | ￥1.371883 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.96