IXTH60N20L2

制造商编号:
IXTH60N20L2
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 200V 60A TO247
规格说明书:
IXTH60N20L2说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 173.064944 173.06
10 159.037827 1590.38
100 134.318025 13431.80

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: Linear L2™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 255 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 10500 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 540W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247(IXTH)
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRFP260PBF Vishay Siliconix ¥52.38000 类似
APT20M45BVRG WEC ¥85.82780 类似
IRFP260MPBF Infineon Technologies ¥24.88000 类似

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IXTH60N20L2

型号:IXTH60N20L2

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 200V 60A TO247

库存:0

单价:

1+: ¥173.064944
10+: ¥159.037827
100+: ¥134.318025
500+: ¥119.485756
1000+: ¥112.368972

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥173.06