货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | NXP(恩智浦) |
系列: | TrenchMOS™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5.9A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 37 毫欧 @ 1.5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.5V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 5.8 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 410 pF @ 20 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 280mW(Tj) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-23(TO-236AB) |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装: | 3,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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RUR040N02TL | Rohm Semiconductor | ¥4.76000 | 类似 |
PMV31XN,215
型号:PMV31XN,215
品牌:NXP恩智浦
描述:MOSFET N-CH 20V 5.9A TO236AB
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00