库存 ：17879
货期： 国内（1~2天）
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥46.862125 | ￥46.86 |
| 10 | ￥33.109354 | ￥331.09 |
| 100 | ￥27.115751 | ￥2711.58 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| 通道数: | 1 |
| 电压 - 隔离: | 7500Vpk |
| 电流传输比（最小值）: | - |
| 电流传输比（最大值）: | - |
| 接通 / 关断时间（典型值）: | 45µs，45µs（最大） |
| 上升/下降时间（典型值）: | - |
| 输入类型: | DC |
| 输出类型: | MOSFET |
| 电压 - 输出（最大值）: | 30V |
| 电流 - 输出/通道: | - |
| 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: | 1.3V |
| 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: | 60 mA |
| Vce 饱和压降（最大）: | - |
| 工作温度: | -40°C ~ 100°C |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | 6-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商器件封装: | 6-DIP |
| 标准包装: | 1,000 |
文档与视频信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 规格书 | H11F1M-3M |
| 环保信息 | Material Declaration H11F1M |
| PCN 设计/规格 | Logo 17/Aug/2017 |
| PCN 组装/来源 | Alternate LED manufacturing site/LED die source 15/Jul/2021 |
| PCN 封装 | Mult Devices 24/Oct/2017 |
| HTML 规格书 | H11F1M-3M |
| EDA 模型 | H11F1M by SnapEDA |
H11F1M
型号：H11F1M
品牌：ON安森美
描述：OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP
库存：17879
单价：
| 1+： | ￥46.862125 |
| 10+： | ￥33.109354 |
| 100+： | ￥27.115751 |
| 500+： | ￥26.026744 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥46.86