- 制造商编号：
- PSMN1R2-30YLC,115
- 制造商：
- Nexperia安世
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
- 规格说明书：
- PSMN1R2-30YLC,115说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.56683 | ￥15.57 |
| 10 | ￥13.979063 | ￥139.79 |
| 100 | ￥11.23286 | ￥1123.29 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Nexperia(安世) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.25 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.95V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 78 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 5093 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 215W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳: | SC-100，SOT-669 |
| 标准包装: | 1,500 |
PSMN1R2-30YLC,115
型号：PSMN1R2-30YLC,115
品牌：Nexperia安世
描述：MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
库存：0
单价：
| 1+： | ￥15.56683 |
| 10+： | ￥13.979063 |
| 100+： | ￥11.23286 |
| 500+： | ￥9.228991 |
| 1500+： | ￥7.910598 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.57