SI7946ADP-T1-GE3

制造商编号:
SI7946ADP-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2 N-CH 150V POWERPAK SO8
规格说明书:
SI7946ADP-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
6000 11.914481 71486.89

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 150V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.7A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 186 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.5nC @ 7.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 230pF @ 75V
功率 - 最大值: 19.8W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 双
标准包装: 3,000

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SI7946ADP-T1-GE3

型号:SI7946ADP-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2 N-CH 150V POWERPAK SO8

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