IRF3710ZSTRLPBF

制造商编号:
IRF3710ZSTRLPBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
规格说明书:
IRF3710ZSTRLPBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 19.605592 19.61
10 17.613117 176.13
100 14.15444 1415.44

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 59A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 18 毫欧 @ 35A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 120 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2900 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 160W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 800

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BUK9620-100B,118 Nexperia USA Inc. ¥16.36000 类似

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IRF3710ZSTRLPBF

型号:IRF3710ZSTRLPBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

库存:0

单价:

1+: ¥19.605592
10+: ¥17.613117
100+: ¥14.15444
800+: ¥11.629467
1600+: ¥11.075655

货期:1-2天

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