货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥2123.977029 | ¥2123.98 |
10 | ¥2039.656287 | ¥20396.56 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | CoolMOS™ |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N 沟道(双)共源 |
FET 功能: | 碳化硅(SiC) |
漏源电压(Vdss): | 1200V(1.2kV) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 58A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | - |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | - |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | - |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | - |
功率 - 最大值: | - |
工作温度: | - |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 9-SMD 电源模块 |
供应商器件封装: | SMPD |
标准包装: | 20 |
MCB40P1200LB-TUB
型号:MCB40P1200LB-TUB
品牌:IXYS艾赛斯
描述:POWER MOSFET
库存:0
单价:
1+: | ¥2123.977029 |
10+: | ¥2039.656287 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥2123.98