货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥4.468251 | ¥4.47 |
10 | ¥3.396783 | ¥33.97 |
100 | ¥2.11501 | ¥211.50 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 200mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 1.5V,4V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.5 欧姆 @ 10mA,4V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 900mV @ 100µA |
Vgs(最大值): | ±10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 41 pF @ 3 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 400mW(Ta) |
工作温度: | -65°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | X2-DFN1006-3 |
封装/外壳: | 3-XFDFN |
标准包装: | 3,000 |
DMN2005LP4K-7
型号:DMN2005LP4K-7
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
库存:0
单价:
1+: | ¥4.468251 |
10+: | ¥3.396783 |
100+: | ¥2.11501 |
500+: | ¥1.447052 |
1000+: | ¥1.113164 |
3000+: | ¥1.001846 |
6000+: | ¥0.946198 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.47