DMN66D0LW-7

制造商编号:
DMN66D0LW-7
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
规格说明书:
DMN66D0LW-7说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.023706 4.02
10 3.413881 34.14
100 2.548271 254.83

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 115mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6 欧姆 @ 115mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 200mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-323
封装/外壳: SC-70,SOT-323
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
NX7002AKW,115 Nexperia USA Inc. ¥1.92000 类似

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DMN66D0LW-7

型号:DMN66D0LW-7

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323

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1+: ¥4.023706
10+: ¥3.413881
100+: ¥2.548271
500+: ¥2.001891
1000+: ¥1.547018

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