MVGSF1N03LT1G

制造商编号:
MVGSF1N03LT1G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23
规格说明书:
MVGSF1N03LT1G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 7.161736 7.16
10 6.29263 62.93
100 4.822982 482.30

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 不适用于新设计
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 @ 1.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V @ 250µA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 140 pF @ 5 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 420mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
PMV90ENER Nexperia USA Inc. ¥3.23000 类似

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MVGSF1N03LT1G

型号:MVGSF1N03LT1G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23

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单价:

1+: ¥7.161736
10+: ¥6.29263
100+: ¥4.822982
500+: ¥3.812729
1000+: ¥3.050191
3000+: ¥3.032871

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