库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 50 | ￥22.583093 | ￥1129.15 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | DTMOSIV |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 500 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.7V @ 400µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 18.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 570 pF @ 300 V |
| FET 功能: | 超级结 |
| 功率耗散（最大值）: | 30W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220SIS |
| 封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
| 标准包装: | 50 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| R6009ENX | Rohm Semiconductor | ¥24.88000 | 类似 |
| STF10NM60ND | STMicroelectronics | ¥17.36000 | 类似 |
| R6012FNX | Rohm Semiconductor | ¥38.09000 | 类似 |
| STF12N65M5 | STMicroelectronics | ¥24.88000 | 类似 |
| STP13NK60ZFP | STMicroelectronics | ¥35.71000 | 类似 |
TK8A60W,S4VX
型号：TK8A60W,S4VX
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
库存：0
单价：
| 50+： | ￥22.583093 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00