货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥12.122731 | ¥12.12 |
10 | ¥10.799799 | ¥108.00 |
100 | ¥8.419268 | ¥841.93 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 80 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 46A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 12.5 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 35 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2100 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 55W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PowerPAK® SO-8 |
封装/外壳: | PowerPAK® SO-8 |
标准包装: | 2,500 |
SQJA84EP-T1_GE3
型号:SQJA84EP-T1_GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8
库存:0
单价:
1+: | ¥12.122731 |
10+: | ¥10.799799 |
100+: | ¥8.419268 |
500+: | ¥6.955066 |
1000+: | ¥5.490826 |
3000+: | ¥5.490888 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.12