- 制造商编号：
- BSS816NWH6327XTSA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
- 规格说明书：
- BSS816NWH6327XTSA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.206083 | ￥4.21 |
| 10 | ￥3.151713 | ￥31.52 |
| 100 | ￥1.783995 | ￥178.40 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | OptiMOS™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.8V，2.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 160 毫欧 @ 1.4A，2.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 0.75V @ 3.7µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 0.6 nC @ 2.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 180 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 500mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-323 |
| 封装/外壳: | SC-70，SOT-323 |
| 标准包装: | 3,000 |
BSS816NWH6327XTSA1
型号：BSS816NWH6327XTSA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
库存：0
单价：
| 1+： | ￥4.206083 |
| 10+： | ￥3.151713 |
| 100+： | ￥1.783995 |
| 500+： | ￥1.181761 |
| 1000+： | ￥0.906006 |
| 3000+： | ￥0.787837 |
| 6000+： | ￥0.70905 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.21