FDD306P

制造商编号:
FDD306P
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
规格说明书:
FDD306P说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 8.1386 8.14
10 7.274587 72.75
100 5.669778 566.98

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 28 毫欧 @ 6.7A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1290 pF @ 6 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 52W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,500

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FDD306P

型号:FDD306P

品牌:ON安森美

描述:MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252

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1+: ¥8.1386
10+: ¥7.274587
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