SQJ412EP-T2_GE3

制造商编号:
SQJ412EP-T2_GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
规格说明书:
SQJ412EP-T2_GE3说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
3000 7.902765 23708.29

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 32A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.1 毫欧 @ 10.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 120 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5950 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 83W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerPAK® SO-8
封装/外壳: PowerPAK® SO-8
标准包装: 3,000

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SQJ412EP-T2_GE3

型号:SQJ412EP-T2_GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

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