STGB19NC60HDT4

制造商编号:
STGB19NC60HDT4
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT 600V 40A 130W D2PAK
规格说明书:
STGB19NC60HDT4说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 24.860347 24.86
10 22.338976 223.39
100 18.3041 1830.41

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: PowerMESH™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V @ 15V,12A
功率 - 最大值: 130 W
开关能量: 85µJ(开),189µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 53 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 25ns/97ns
测试条件: 390V,12A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 31 ns
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: D2PAK
标准包装: 1,000

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STGB19NC60HDT4

型号:STGB19NC60HDT4

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT 600V 40A 130W D2PAK

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1+: ¥24.860347
10+: ¥22.338976
100+: ¥18.3041
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