货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥13.565025 | ¥13.57 |
10 | ¥12.087917 | ¥120.88 |
100 | ¥9.421538 | ¥942.15 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Toshiba(东芝) |
系列: | U-MOSVI |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 60A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.7 毫欧 @ 30A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.2V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 182 nC @ 5 V |
Vgs(最大值): | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 10900 pF @ 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 78W(Tc) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-SOP Advance(5x5) |
封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
标准包装: | 5,000 |
TPH1R712MD,L1Q
型号:TPH1R712MD,L1Q
品牌:Toshiba东芝
描述:MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
库存:0
单价:
1+: | ¥13.565025 |
10+: | ¥12.087917 |
100+: | ¥9.421538 |
500+: | ¥7.782967 |
1000+: | ¥6.144446 |
2000+: | ¥5.734823 |
5000+: | ¥5.585868 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥13.57