库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | HEXFET® |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 900mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.2 欧姆 @ 540mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 6.8 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 88 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2W（Ta） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | Micro6™（TSOP-6） |
| 封装/外壳: | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 标准包装: | 100 |
IRF5802
型号：IRF5802
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
库存：0
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00