货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥27.876064 | ¥27.88 |
10 | ¥25.054887 | ¥250.55 |
100 | ¥20.526332 | ¥2052.63 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 650 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 48 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 75 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): | 2.1V @ 15V,25A |
功率 - 最大值: | 194 W |
开关能量: | - |
输入类型: | 标准 |
栅极电荷: | 49 nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | 27ns/88ns |
测试条件: | 400V,25A,10欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr): | 58 ns |
工作温度: | -40°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
供应商器件封装: | LPDS |
标准包装: | 1,000 |
RGT50NS65DGTL
型号:RGT50NS65DGTL
品牌:Rohm Semiconductor罗姆
描述:IGBT
库存:0
单价:
1+: | ¥27.876064 |
10+: | ¥25.054887 |
100+: | ¥20.526332 |
500+: | ¥17.473542 |
1000+: | ¥14.895641 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥27.88