RGT50NS65DGTL

制造商编号:
RGT50NS65DGTL
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
IGBT
规格说明书:
RGT50NS65DGTL说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 27.876064 27.88
10 25.054887 250.55
100 20.526332 2052.63

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 48 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 75 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V @ 15V,25A
功率 - 最大值: 194 W
开关能量: -
输入类型: 标准
栅极电荷: 49 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 27ns/88ns
测试条件: 400V,25A,10欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 58 ns
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: LPDS
标准包装: 1,000

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RGT50NS65DGTL

型号:RGT50NS65DGTL

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:IGBT

库存:0

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1+: ¥27.876064
10+: ¥25.054887
100+: ¥20.526332
500+: ¥17.473542
1000+: ¥14.895641

货期:1-2天

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