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货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Nexperia(安世) |
| 系列: | TrenchMOS™ |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 20A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 5.5 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 34 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3100 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3.5W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-SO |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装: | 2,500 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FDS6670A | onsemi | ¥7.07000 | 类似 |
| SI4430BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | ¥14.90000 | 类似 |
| RJK0354DSP-00#J0 | Renesas Electronics America Inc | ¥9.60000 | 类似 |
| IRF7403TRPBF | Infineon Technologies | ¥8.91000 | 类似 |
| AO4430 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥7.83000 | 类似 |
PSMN005-30K,518
型号：PSMN005-30K,518
品牌：Nexperia安世
描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
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