PZM6.8NB1,115

制造商编号:
PZM6.8NB1,115
制造商:
NXP恩智浦
描述:
DIODE ZENER 6.8V 300MW SMT3
规格说明书:
PZM6.8NB1,115说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: NXP(恩智浦)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 6.8 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 300 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 15 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 3.5 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 100 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SMT3; MPAK
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BZX84-B6V8,215 Nexperia USA Inc. ¥1.77000 类似
BZX84B6V2LT1G onsemi ¥1.54000 类似
BZX84B6V8LT1G onsemi ¥1.61000 类似

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PZM6.8NB1,115

型号:PZM6.8NB1,115

品牌:NXP恩智浦

描述:DIODE ZENER 6.8V 300MW SMT3

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