IXFY30N25X3

制造商编号:
IXFY30N25X3
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 250V 30A TO252AA
规格说明书:
IXFY30N25X3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 57.426147 57.43
10 51.856791 518.57
100 42.929977 4293.00

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: HiPerFET™, Ultra X3
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 60 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1450 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 176W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 70

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IXFY30N25X3

型号:IXFY30N25X3

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 250V 30A TO252AA

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1+: ¥57.426147
10+: ¥51.856791
100+: ¥42.929977
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