ZXMN3AMCTA

制造商编号:
ZXMN3AMCTA
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN
规格说明书:
ZXMN3AMCTA说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
3000 3.503022 10509.07

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.7A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 120 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 190pF @ 25V
功率 - 最大值: 1.7W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: DFN3020B-8
标准包装: 3,000

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ZXMN3AMCTA

型号:ZXMN3AMCTA

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN

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