- 制造商编号：
- SIDC02D60F6X1SA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER
- 规格说明书：
- SIDC02D60F6X1SA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 散装
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | - |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 停产 |
| 二极管类型: | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: | 600 V |
| 电流 - 平均整流 (Io): | 3A（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.6 V @ 3 A |
| 速度: | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 27 µA @ 600 V |
| 不同 Vr、F 时电容: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 模具 |
| 供应商器件封装: | 带箔切割晶片 |
| 工作温度 - 结: | -40°C ~ 150°C |
| 标准包装: | 1 |
SIDC02D60F6X1SA1
型号：SIDC02D60F6X1SA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER
库存：0
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00