货期: 8周-10周
封装: 带盒(TB)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
系列: | - |
包装: | 带盒(TB) |
零件状态: | 在售 |
二极管类型: | 标准 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): | 800 V |
电流 - 平均整流 (Io): | 1A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1 V @ 1 A |
速度: | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 5 µA @ 800 V |
不同 Vr、F 时电容: | 10pF @ 4V,1MHz |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | DO-204AL,DO-41,轴向 |
供应商器件封装: | DO-204AL(DO-41) |
工作温度 - 结: | -55°C ~ 150°C |
标准包装: | 3,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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1N4006G-T | Diodes Incorporated | ¥3.00000 | 直接 |
1N4006GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ¥3.99000 | 直接 |
RGP10K | onsemi | ¥3.07000 | 类似 |
1N4006RLG | onsemi | ¥2.30000 | 类似 |
NRVA4006T3G | onsemi | ¥3.23000 | 类似 |
1N4006G A0G
型号:1N4006G A0G
品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00