货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥5.532939 | ¥5.53 |
10 | ¥4.764544 | ¥47.65 |
100 | ¥3.558861 | ¥355.89 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Toshiba(东芝) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 200mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2欧姆 @ 50MA,2.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.5V @ 100µA |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 70 pF @ 3 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 200mW(Ta) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SC-59-3 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装: | 3,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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NX3020NAK,215 | Nexperia USA Inc. | ¥1.92000 | 类似 |
2SK2009TE85LF
型号:2SK2009TE85LF
品牌:Toshiba东芝
描述:MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3
库存:0
单价:
1+: | ¥5.532939 |
10+: | ¥4.764544 |
100+: | ¥3.558861 |
500+: | ¥2.796111 |
1000+: | ¥2.160631 |
3000+: | ¥1.970012 |
6000+: | ¥1.842891 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥5.53