US6J11TR

制造商编号:
US6J11TR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
规格说明书:
US6J11TR说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 5.818911 5.82
10 4.964725 49.65
100 3.705826 370.58

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 260 毫欧 @ 1.3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 290pF @ 6V
功率 - 最大值: 320mW
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
供应商器件封装: TUMT6
标准包装: 3,000

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US6J11TR

型号:US6J11TR

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6

库存:0

单价:

1+: ¥5.818911
10+: ¥4.964725
100+: ¥3.705826
500+: ¥2.911544
1000+: ¥2.24983
3000+: ¥2.051315
6000+: ¥1.918972

货期:1-2天

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