货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥5.818911 | ¥5.82 |
10 | ¥4.964725 | ¥49.65 |
100 | ¥3.705826 | ¥370.58 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 12V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.3A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 260 毫欧 @ 1.3A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 2.4nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 290pF @ 6V |
功率 - 最大值: | 320mW |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 6-SMD,扁平引线 |
供应商器件封装: | TUMT6 |
标准包装: | 3,000 |
US6J11TR
型号:US6J11TR
品牌:Rohm Semiconductor罗姆
描述:MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
库存:0
单价:
1+: | ¥5.818911 |
10+: | ¥4.964725 |
100+: | ¥3.705826 |
500+: | ¥2.911544 |
1000+: | ¥2.24983 |
3000+: | ¥2.051315 |
6000+: | ¥1.918972 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥5.82