库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥234.594587 | ￥234.59 |
| 10 | ￥216.346568 | ￥2163.47 |
| 100 | ￥202.572272 | ￥20257.23 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | CoolGaN™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 最后售卖 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 31A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1,6V @ 2,6mA |
| Vgs（最大值）: | -10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 380 pF @ 400 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 125W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-HSOF-8-3 |
| 封装/外壳: | 8-PowerSFN |
| 标准包装: | 2,000 |
IGT60R070D1ATMA1
型号：IGT60R070D1ATMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF
库存：0
单价：
| 1+： | ￥234.594587 |
| 10+： | ￥216.346568 |
| 100+： | ￥202.572272 |
| 2000+： | ￥202.572249 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥234.59