APT30GP60JDQ1

制造商编号:
APT30GP60JDQ1
制造商:
Microsemi美高森美
描述:
IGBT MODULE 600V 67A 245W ISOTOP
规格说明书:
APT30GP60JDQ1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
20 246.099516 4921.99

规格参数

属性 参数值
制造商: Microsemi(美高森美)
系列: POWER MOS 7®
包装: 管件
零件状态: 不适用于新设计
IGBT 类型: PT
配置: 单路
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 67 A
功率 - 最大值: 245 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.7V @ 15V,30A
电流 - 集电极截止(最大值): 500 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 3.2 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装: ISOTOP®
标准包装: 1

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APT30GP60JDQ1

型号:APT30GP60JDQ1

品牌:Microsemi美高森美

描述:IGBT MODULE 600V 67A 245W ISOTOP

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