BUK9E3R2-40B,127

制造商编号:
BUK9E3R2-40B,127
制造商:
NXP恩智浦
描述:
MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
规格说明书:
BUK9E3R2-40B,127说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: NXP(恩智浦)
系列: TrenchMOS™
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 94 nC @ 5 V
Vgs(最大值): ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 10502 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 300W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: I2PAK
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STI270N4F3 STMicroelectronics ¥37.55000 类似
AUIRF2804L Rochester Electronics, LLC ¥13.13418 类似

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BUK9E3R2-40B,127

型号:BUK9E3R2-40B,127

品牌:NXP恩智浦

描述:MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK

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