货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥8.691065 | ¥8.69 |
10 | ¥7.639185 | ¥76.39 |
100 | ¥5.859942 | ¥585.99 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 8 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 10 毫欧 @ 2A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 10.5 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | -6V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1060 pF @ 4 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 890mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | U-WLB1515-9 |
封装/外壳: | 9-UFBGA,WLBGA |
标准包装: | 3,000 |
DMP1011UCB9-7
型号:DMP1011UCB9-7
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
库存:0
单价:
1+: | ¥8.691065 |
10+: | ¥7.639185 |
100+: | ¥5.859942 |
500+: | ¥4.632002 |
1000+: | ¥3.705602 |
3000+: | ¥3.358195 |
6000+: | ¥3.158189 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.69