库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 10000 | ￥1.955067 | ￥19550.67 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 50 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 15 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 14 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 902.7 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 820mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | U-DFN2020-6（F 类） |
| 封装/外壳: | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装: | 10,000 |
DMT5015LFDF-13
型号：DMT5015LFDF-13
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN
库存：0
单价：
| 10000+： | ￥1.955067 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00