- 制造商编号：
- 2SK3564(STA4,Q,M)
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 描述：
- MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS
- 规格说明书：
- 2SK3564(STA4,Q,M)说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥16.238242 | ￥16.24 |
| 10 | ￥14.466459 | ￥144.66 |
| 100 | ￥11.282097 | ￥1128.21 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | π-MOSIV |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 900 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 4.3 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 17 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 700 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 40W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220SIS |
| 封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
| 标准包装: | 50 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FQPF4N90CT | Rochester Electronics, LLC | ¥6.91180 | 类似 |
2SK3564(STA4,Q,M)
型号：2SK3564(STA4,Q,M)
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS
库存：0
单价：
| 1+： | ￥16.238242 |
| 10+： | ￥14.466459 |
| 100+： | ￥11.282097 |
| 500+： | ￥9.320129 |
| 1000+： | ￥7.357926 |
| 2000+： | ￥6.867396 |
| 5000+： | ￥6.689024 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥16.24